Компанія Samsung Electronics не стоїть на місці. І на цей раз приготовила для користувачів наступний сюрприз – модуль пам’яті об’ємом в 1 терабайт. Модуль Embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 ближчим часом поступить в масове виробництво.

Дана пам’ять розрахована на застосування в пристроях слідуючого покоління. Тобто всі хто купить смартфон чи планшет компанії Samsung, отримають розмір вбудованої пам’яті, що співставний із SSD диском комп’ютера чи ноутбука. Модуль пам’яті eUFS 2.1, що анонсований компанією матиме розміри 11,5 × 13,0 мм. Його виготовлятимуть із використанням пам’яті V-NAND, а також найновішого контролера, що забезпечить відмінну швидкодію.

Послідовна швидкість читання інформації повинна складати 1000 Мбайт/с (за словами компанії), тоді як послідовний запис повинен досягати 260 Мбайт/с.

Показник операцій вводу/виводу за секунду (IOPS) складатиме до 58 тисяч, за умови довільного читання даних та до 50 тисяч при довільному запису.

Всі характеристики говорять, що eUFS 2.1 зможе повністю забезпечити смартфони наступного покоління великим обсягом пам’яті та хорошими показниками читання та записування інформації. Говориться, що швидкість читання інформації буде в два рази вищою за аналогічну у порівнянні із 2,5 дюймовим SSD-диском ноутбука, що підключений по інтерфейсу SATA.

Скоріш за все, пам’ять буде використовуватися в деяких модифікаціях Galaxy S10, які мають вийти найближчими тижнями.