Компания Samsung Electronics не стоит на месте. И на этот раз приготовила для пользователей следующий сюрприз – модуль памяти объемом в 1 терабайт. Модуль Embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 в ближайшее время поступит в массовое производство.

Данная память рассчитана на применение в устройствах следующего поколения. То есть все, кто купит смартфон или планшет компании Samsung, получат размер встроенной памяти, сопоставимый с SSD диском компьютера или ноутбука. Модуль памяти eUFS 2.1, что анонсированный компанией будет иметь размеры 11,5 × 13,0 мм. Его будут изготавливать с использованием памяти V-NAND, а также новейшего контроллера, что обеспечит отличное быстродействие.

Последовательная скорость чтения информации должна составлять1000 Мбайт/с (по словам компании), тогда как последовательная запись должна достигать 260 Мбайт/с.

Показатель операций ввода/вывода в секунду (IOPS) составит до 58 тысяч, при условии произвольного чтения данных и до 50 тысяч при произвольной записи.

Все характеристики говорят, что eUFS 2.1 сможет полностью обеспечить смартфоны следующего поколения большим объемом памяти и хорошими показателями чтения и записи информации. Говорится, что скорость чтения информации будет в два раза выше аналогичной по сравнению с 2,5 дюймовым SSD-диском ноутбука, подключенного по интерфейсу SATA.

Скорее всего, память будет использоваться в некоторых модификациях Galaxy S10, которые должны выйти в ближайшие недели.